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SiHU3N50D
100
www.vishay.com
3.0
2.5
Vishay Siliconix
10
T J = 150 °C
2.0
1
1.5
T J = 25 °C
1.0
0.1
0.5
V GS = 0 V
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
100
Operation in thi s area
limited by R D S (on)
10
100 μ s
1
T J , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
625
600
575
550
Limited by R D S (on) *
1 m s
525
0.1
T C = 25 °C
T J = 150 °C
10 m s
500
0.01
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
475
1
10 100 1000
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Typical Drain-to-Source Voltage vs. Temperature
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S14-0005-Rev. B, 20-Jan-14
4
Document Number: 91493
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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